Программа магистратуры «Полупроводниковые преобразователи энергии» готовит специалистов в области разработки и производства компонентов и материалов для оптоэлектроники и нанофотоники. Студенты изучают полупроводниковые преобразователи электроэнергии, разрабатывают технологии zero-energy домов, работают над исследованиями в области космической фотоэнергетики, созданием светоизлучающих диодов, солнечных батарей, детекторов ядерных частиц и предлагают новые решения для преобразования энергии. Выпускники программы становятся учеными-исследователями, которые могут продолжить обучение на программах аспирантуры и строить карьеру в науке или устроиться в ведущие российские и международные лаборатории бизнес-компаний для работы с инновационными продуктами энергетической отрасли.
Программа магистратуры реализуется в многотрековом формате и включает два трека: «Перспективные полупроводниковые оптоэлектронные приборы», «Полупроводниковая электроника на основе широкозонных материалов».
Магистерская программа подойдет выпускникам бакалавриата направлений электроники и микросистемной техники, а также специалистам, которые работают на профильных предприятиях и желают углубить свои профессиональные знания в области создания и применения полупроводниковых электронных приборов на широкозонных материалах.
Актуальность программы
Роль широкозонных полупроводников в передовых технологиях усиливается с каждым годом. Благодаря новым методам исследований сегодня мы можем быстро переходить от планарных светодиодов большой площади к микро- и наносветодиодам. Они применяются в различных сферах: дополненная реальность, оптическая связь и микроскопия за пределами дифракционных ограничений. Перовскитные полупроводниковые материалы используются в индустрии альтернативной энергетики и оптоэлектроники. В частности, это солнечные панели, функционирующие в условиях рассеянного света, сверхтонкие перовскитные диоды и радиационные сенсоры.
Индивидуальная траектория обучения
На программе реализуется многотрековый формат обучения. У каждого студента есть возможность выбрать научное направление в соответствии с темой своего исследования и интересами:
Трек: «Перспективные полупроводниковые оптоэлектронные приборы» — трек готовит инженеров-разработчиков, технологов и аналитиков, востребованных на отечественном и мировом рынках производства оптоэлектронных приборов, таких как солнечные элементы, детекторы, светодиоды и фотоприемники, созданные на новых широкозонных материалах..
Трек: «Полупроводниковая электроника на основе широкозонных материалов» — трек готовит специалистов в области разработки, интеграции и сопровождения технологических процессов производства полупроводниковых приборов и устройств на широкозонных материалах, используемых для применения в системах умного дома, в исследованиях космоса, VR-технологиях и устройствах «интернета вещей».
Совмещение работы и учебы
Занятия проходят в вечернее время, что позволяет совмещать рабочие и учебные исследовательские проекты. У магистрантов есть возможность получать знания по программе без отрыва от работы. С первого курса студенты трудоустраиваются на предприятия бизнес-партнеров программы или в лаборатории университета, где имеют возможность проводить научно-исследовательскую работу под руководством наставников. Во время учебы у каждого магистранта есть возможность опубликовать статьи или тезисы в научных журналах и сборниках, а также принять участие в конкурсах на получение дополнительных стипендий или грантов.
Практико-ориентированный подход
Особое внимание в обучении мы уделяем формированию навыка проведения научных экспериментов — от проектирования приборов на основе полупроводниковых преобразователей до разработки и внедрения технологии производства. Этот навык позволяет работать в собственных проектных командах и в коллаборации с учеными и студентами из других университетов. В свою очередь, предприятия, заинтересованные во внедрении новых технологий, предлагают целевые стипендии для успешных студентов на время их работы в проекте. Мы также привлекаем студентов программы к участию в грантах на НИР, инициируемых научными фондами на федеральном и международном уровнях.
Инфраструктура для исследований
Обучение у лучших сертифицированных ученых-практиков позволяет максимально точно определить сферу своих интересов и направление исследования, связанного с оптоэлектроникой, нанофотоникой и полупроводниковыми преобразователями энергии. Во время учебы студенты работают над научными проектами с использованием вычислительных мощностей и современного оборудования в лабораториях и научных центрах НИТУ МИСИС, а также в партнерских организаций, таких как НПП «Квант».
Студенты программы участвуют в экспериментах, проводимых в рамках проектов MegaScience: проводятся разработки противорадиационной защиты и создаются солнечные батареи для IoT. Студенты активно публикуют собственные научные работы, а также работы в соавторстве в международных научных изданиях с высоким импакт-фактором.
Дополнительные возможности для студентов
Ежегодно студенты кафедры ППЭ и ФПП становятся победителями грантовых и стипендиальных программ правительства и президента РФ, программ УМНИК с возможностью получить грант в размере 500 000 рублей и «Студенческий стартап» в размере 1 млн. руб. В процессе учебы магистры имеют возможность пройти стажировку в университете Тор Вергата в Риме и на предприятиях бизнес-партнеров.
Участие в международных коллаборациях
Студенты имеют возможность пройти стажировку и принять участие в проектах институтов-партнеров:
MegaScience;
Исследования оптоэлектронных приборов на основе широкозонных материалов GaN и Ga2O3 совместно с учеными из Korea University и Университет Флориды (США);
Перовскитные оптоэлектронные приборы совместно с учеными из Университета Тор Вергата в Риме (Италия) и Университета Техас в Далласе (США);
Институт структуры материи Национального исследовательского совета (ISM-CNR, Италия), Университет Пуатье (Франция).
Дисциплины программы
20
предметов в области материаловедения, изучения оборудования и современных методов диагностики приборов для решения актуальных задач, связанных с изготовлением изделий из новых материалов
Ключевые дисциплины:
Компьютерные технологии в научных исследованиях
Проектирование и технология электронной компонентной базы
Методы характеризации полупроводниковых материалов и структур
Приборные структуры на широкозонных полупроводниках
Современные методы диагностики и исследования наногетероструктур
Приборные структуры на некристаллических материалах
Силовые полупроводниковые приборы
Радиационно-технологические процессы в электронике
Основы надежности элементной базы электроники в условиях ионизирующего излучения космического пространства
Оборудование для производства наногетероструктурных солнечных элементов
Окончил МИСиС в 1973 году, работал в НИИПФ (1973-1982 гг.), Гиредмет (1982-2014 гг.), к.т.н. с 1983 г. Стажировки в Университете Карнеги-Меллон (США) в 1990-1992,1995-1997,2003-2005 гг., Бостонском университете в 2000 г., в Университете Чонбук (Корея) — в 2011-2012 гг. и 2013-2014 гг. В НИТУ МИСиС с 2014 г. Направление исследований — широкозонные материалы и приборы на их основе.
К.т.н., ст. преподаватель, заместитель заведующего лабораторией перспективной солнечной энергетики, действующей в рамках стратегического проекта «Материалы будущего» программы «Приоритет 2030»
Проекты, связанные с перовскитной оптоэлектроникой.
Область научных интересов: физика полупроводников, полупроводниковая метрология. Значимые исследовательские проекты посвящены таким темам, как: композитные мультиферроики на основе бидоменных сегнетоэлектриков; многокаскадные солнечные батареи; радиационные дефекты в кремнии; диффузия примесей в германии; рекомбинационное время жизни СНЗ; СТД в соединениях А2В6. В 2010 году награждена Почетной грамотой Министерства науки и высшего образования РФ.
Разработка и исследование детекторов частиц и фотонов, солнечных элементов на широкозонных материалах (GaAs, алмаз, перовскит). Проекты в рамках ФЦП, госзадания, РНФ, 220 Постановления Правительства РФ. Золотая медаль международной торговой выставки iENA-2019 (г. Нюрнберг) за изобретение «Гибридный фотопреобразователь, модифицированный максенами». Серебряная медаль Московского международного салона изобретений и инновационных технологий «Архимед 2021» за изобретение «Способ химического осаждения перовскитов из газовой фазы для производства фотовольтаических устройств, светодиодов и фотодетекторов».
Область научных интересов: взаимодействие ионизирующих излучений с веществом, радиационные эффекты в материалах и изделиях электронной техники, проектирование радиационно-стойких изделий микроэлектроники и фотоники, методическое обеспечение радиационных и надежностных испытаний изделий электронной техники и радиоэлектронной аппаратуры, разработка полупроводниковых детекторов ионизирующих излучений. Более 160 научных работ, включая 6 монографий и 4 учебных пособия. Главный редактор научно-технического сборника «Вопросы атомной науки и техники. Серия: «Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру».
НИТУ МИСИС сотрудничает с ведущими компаниями и научно-исследовательскими организациями. Большинство выпускников продолжает заниматься научными исследованиями и поступает на программы аспирантуры или становится специалистами R&D технологических компаний и стартапов, проектировщиками инфраструктуры IoT и «умного» города.
Осваиваемые профессии
Специалист/инженер по разработке волоконно-оптических датчиков
Инженер-испытатель оптоэлектроники
Инженер солнечных электростанций
Инженер микроэлектроники
Инженер оптико-электронных приборов
R&D-менеджер технологических компаний и стартапов
Инженер-разработчик интегральных схем
Проектировщик инфраструктуры «умного дома»
Инженер-электроник
Инженер-разработчик изделий электронной техники
R&D-менеджер технологических компаний и стартапов
Инженер-испытатель полупроводников
Инженер-технолог по производству изделий микроэлектроники
Инженер-конструктор интегральных схем
Инженер микроэлектроники
Вопросы и ответы
Подать документы* на поступление можно несколькими способами:
Получить социальный налоговый вычет может Заказчик по договору. Ознакомиться с подробной информацией можно на странице Платное обучение в разделе «Информация о предоставлении налогового вычета».
На проживание в общежитии могут рассчитывать все иногородние студенты*, в том числе, поступившие на платные места.
* студенты, прописанные в других государствах, субъектах Российской Федерации, а также жители дальнего Подмосковья.
Фотогалерея
Отзывы студентов
Садыков Жакыпбек, инженер-исследователь Центра инфраструктурного взаимодействия и партнерства MegaScience
Данная программа была выбрана мной по причине актуальности полупроводниковой промышленности и технологии в целом в наше время. На основе них производятся практически все современные цифровые устройства. Во время учебы было принято участие в конференциях Дни науки МИСИС, международной конференции «Фундаментальные и прикладные вопросы физики» 2020. Благодаря обучению на данной программе удалось стать участником эксперимента SND@LHC на большом адронном коллайдере, эксперимента NEWS в лаборатории Гран-Сассо (Италия).
Программа направлена на подготовку высококвалифицированных специалистов в области магнитоэлектроники, которые занимаются созданием, диагностикой и применением современных перспективных магнитных материалов и приборов на их основе. Студенты изучают основные классы магнитных материалов в макро- микро- и наноразмерном исполнении и технологии получения этих материалов. Среди объектов изучения — материалы, применяемые для магнитной записи информации, радиопоглощения и радиоэкранирования, гипертермии и адресной доставки лекарств, активных сред СВЧ-электроники, автоматики и телевизионной техники, IoT. Выпускники программы востребованы как в научно-исследовательских организациях, так и в высокотехнологичных компаниях в качестве инженеров-технологов и специалистов R&D департаментов.
Специалист в области микро- и наноэлектроники должен обладать глубокими знаниями в таких направлениях, как материаловедение и физика полупроводников, понимать физические основы технологических процессов создания новых материалов, обладать способностью к саморазвитию и быстрой адаптации. Магистранты участвуют в выполнении научно-исследовательских работ по математическому моделированию технологий получения новых материалов, оптимизации режимов технологических процессов производства изделий микро- и наноэлектроники, в разработке способов модифицирования компонентов твердотельной электроники и интегральных микросхем, а также методов технического контроля и испытания изделий. В рамках программы ведется подготовка специалистов для отраслевых и академических НИИ, производственных предприятий электронной отрасли, включая предприятия ВПК.
Наш сайт использует файлы cookie.
Мы не идентифицируем вас, а улучшаем работу сайта.
Оставаясь, вы даете согласие на обработку файлов cookie.
*Приём документов начинается с 20 июня.