Разработка способа выращивания профильных монокристаллов кремния из расплава методом Чохральского

Силаев Иван Вадимович

Дата и время защиты:
18.11.2008 16:54
Место защиты:
НИТУ МИСИС

Работа выполнена на кафедре физики твердого тела и электроники физико-технического факультета Государственного образовательного учреждения высшего профессионального образования «Северо-Осетинский государственный университет имени Коста Левановича Хетагурова».

Научный руководитель:
кандидат физико-математических наук, профессор Блиев Александр Петрович

Официальные оппоненты:
доктор технических наук, профессор, академик РАЕН Мильвидский Михаил Григорьевич
доктор технических наук, профессор Козырев Евгений Николаевич

Ведущая организация:
Открытое Акционерное Общество «Научно-Исследовательский Институт Материалов Электронной Техники»

Защита состоится 18 декабря 2008 г. в 14 часов на заседании диссертационного совета Д 212.132.06 при Государственном технологическом университете «Московский институт стали и сплавов» по адресу: 119049, Москва, Крымский вал, д.3, аудитория К-421.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке Государственного технологического университета «Московский институт стали и сплавов».

Диссертации по специальности
«»: