Достижения
Сотрудник лаборатории Васильев Антон Андреевич выиграл стипендию им. К.А. Валиева для аспирантов, имеющих значительные достижения в области электронной промышленности (2023).
Перспективные направления исследований
Оксид галлия (Ga2O3) является широкозонным полупроводником, который вызывает в последние годы огромный интерес исследователей в связи с чрезвычайно перспективными свойствами, делающими его важным кандидатом на роль основного материала для создания силовых приборов и УФ фотоприёмников нового поколения.
Большая ширина запрещённой зоны Ga2O3
Нынешний бум в исследованиях роста, изучения свойств кристаллов и плёнок, в технологии изготовления приборов на основе Ga2O3 вызван тем, что для стабильного политипа b-Ga2O3 c моноклинной симметрией удалось освоить методы получения из расплава кристаллов большого диаметра с низкой плотностью дислокаций, контролируемым легированием донорами в широком диапазоне концентраций, возможностью получения полуизолятора, методы выращивания эпитаксиальных плёнок и гетероструктур высокого качества с использованием разнообразных технологий выращивания (галоидной эпитаксии (HVPE), МОС-гидридной эпитаксии (MOCVD), молекулярной эпитаксии (MBE)), продемонстрировать на их основе прототипы основных полупроводниковых приборов, таких как выпрямители на диодах Шоттки, полевые транзисторы (FETs, MOSFETs, FinFETs), полевые транзисторы с модуляционным легированием (HEMTs), солнечно-слепые фотоприёмники.